ГК БИН построит парк развлечений на юге столицы
Группа БИН семьи Гуцериевых и Шишхановых планирует начать застройку своих собственных площадок в Москве. В частности, завтра Саит-Салам Гуцериев презентует проект строительства крупного парка развлечений «Галактика» на 700 тыс. кв. м с гостиницами, магазинами и новой транспортной инфраструктурой, пишет «РБК daily» со ссылкой на представителя бизнесмена Игоря Жукова.
По его словам, парк развлечений на пересечении Варшавского шоссе и МКАД будет реализовываться группой БИН в партнерстве с крупными западными компаниями, бренды которых до этого не были представлены в России.
В 2009 году группа БИН планировала построить на участке гостинично-деловой и культурно-досуговый центр с офисами, торговыми и физкультурно-оздоровительными зонами, тематическим парком и гостиницей на 1 тыс. мест. Общая площадь МФК должна была составить 1 млн кв. м. Тогда концепцию МФК разработало британское архитектурное бюро Ove Arup & Partners Int. Ltd.
За три года проект сильно изменили. Теперь архитектурную концепцию проекта разрабатывает бюро Chapman Taylor, а Ove Arup & Partners выступает консультантом проекта. Общая площадь планируемого МФК не превысит 700 тыс. кв. м. Развлекательной частью комплекса займется крупный американский бренд — аналог Диснейленда.
По мнению управляющего директора компании Praedium Oncor Int. Михаила Геца, инвестиции в проект превысят 900 млн долларов— из расчета 1,3 тыс. долларов за
Две станции Фрунзенского радиуса петербургского метро – «Бухарестская» и «Международная» будут введены в августе 2012 года, пишет «Интерфакс» со ссылкой на материалы «Метростроя».
На 18 апреля назначен совет директоров ОАО «Метрострой», который, среди прочих вопросов, рассмотрит ход выполнения работ по завершению сооружения Фрунзенского радиуса метрополитена.
Отметим, что в перспективе возможно строительство еще трех станций Фрунзенского радиуса: «Проспект Славы», «Дунайский проспект» и «Южная», где планируется применить щит большого диаметра для сооружения одного двухпутного тоннеля мелкого заложения с последующим выходом на поверхность.