ТЕХНОНИКОЛЬ представляет новую систему изоляции подземных конструкций с внутренней дренажной системой
Особенностью системы ТН-ФУНДАМЕНТ СВГ Барьер является дренажный слой, расположенный между подземной частью сооружения и слоем гидроизоляции. Устройство системы позволит защитить фундамент даже в случае локальных дефектов гидроизоляционного слоя.
Технические специалисты компании ТЕХНОНИКОЛЬ добавили в портфель решений для гидроизоляции фундаментов систему ТН-ФУНДАМЕНТ СВГ Барьер*. Особенность системы – расположение замкнутого гидроизоляционного контура: он находится снаружи фундаментной плиты и подземной части стен.
ТН-ФУНДАМЕНТ СВГ Барьер
Между гидроизоляцией и поверхностью подземных частей располагается дренажный слой из профилированной мембраны PLANTER Фундамент Гео. Под фундаментной плитой помещается дренажный лоток, в который собирается вся влага. Вода из лотка отводится в дренажный колодец по дренажному трубопроводу. Благодаря этому фундамент защищен даже в случае локальных дефектов гидроизоляционного слоя – любая влага организованно собирается в основании сооружения и сбрасывается в систему ливневой канализации.
Скрепление полотен гидроизоляционной мембраны LOGICBASE V-SL осуществляется путем сварки нахлестов горячим воздухом при помощи автоматического сварочного оборудования с образованием двойного шва и центрального воздушного канала, который позволяет контролировать герметичность швов. Перед монтажом гидроизоляционной мембраны необходимо укладывать Геотекстиль ПРОФ ФУНДАМЕНТ 500 с удельной плотностью 500 г/м2 в качестве разделительного слоя. Для герметизации технологических швов бетонирования в местах сопряжения плиты и стены фундамента применяются специальные ПВХ-гидрошпонки ТЕХНОНИКОЛЬ IC-125-2-SP. Для герметизации деформационных швов используются ПВХ-гидрошпонки ТЕХНОНИКОЛЬ.
Преимуществами системы ТН-ФУНДАМЕНТ СВГ Барьер является упрощенный процесс монтажа с применением автоматического оборудования и высокая прочность сварных швов. Тройное фильтрование, применяемое в системе, снижает риск суффозии, которая может привести к проседанию почвы, образованию впадин и воронок. Благодаря использованию системы ТН-ФУНДАМЕНТ СВГ Барьер можно быть уверенным в снижении потенциальных затрат на устранение протечек и в более длительном сроке службы всей подземной конструкции.
*Данное решение охраняется патентом на изобретение №2743226 «Система гидрозащиты подземной части сооружения» (патентообладатель Монахов С.А.)
Ключевым мероприятием Форума стало пленарное заседание «Энергобаланс: риски, вызовы и возможности».
В мероприятии приняли участие генеральный директор АО «ГК «Полипласт» Горенкин Алексей Борисович, первый заместитель генерального директора - директор Блока по развитию и международному бизнесу Госкорпорации «Росатом» Комаров Кирилл Борисович, член Правления - управляющий директор СИБУР, член Правления ООО «СИБУР» Гиззатуллин Руслан Загитович и другие.
Модератором выступил помощник Президента Российской Федерации, специальный представитель Президента по вопросам климата Эдельгериев Руслан Сайл-Хусайнович.
Во время сессии обсуждались вызовы, с которыми сталкиваются российские компании в условиях санкций, и какие шаги необходимо предпринять для их преодоления в кратчайшие сроки. Проблематика санкций особенно актуальна для индустрии промышленности, так как она вынуждает искать новые пути для сохранения конкурентоспособности на мировом рынке.
Алексей Горенкин отметил, что продукция и технологии ГК «Полипласт» являются результатом работы собственных научно-технических центров. Они уникальны и не имеют аналогов в России, что демонстрирует успехи в области экспорта и импортозамещения химических добавок. Эти разработки востребованы как внутри страны, так и за ее пределами, что свидетельствует о высокой готовности российских производителей отвечать на современные вызовы.
Также, обсуждение касалось не только сложностей, но и достижений российских компаний в условиях санкций. Особое внимание было уделено тому, как инновационные разработки могут способствовать продвижению компаний на международную арену и улучшению экологической обстановки.